Trans GP BJT NPN 550V 5A 3Pin3+Tab TO-3P
Bipolar BJT Transistor NPN 550V 5A 6MHz 80W Through Hole TO-3P
得捷: TRANS NPN 550V 5A TO3P
Win Source: TRANS NPN 550V 5A TO3P
击穿电压集电极-发射极 550 V
最小电流放大倍数hFE 10 @1.8A, 4V
额定功率Max 80 W
耗散功率Max 80 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册