2SC3646T-P-TD-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SC3646T-P-TD-E概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 100V

- 双极 BJT - 单 NPN 120MHz 表面贴装型 PCP

得捷:
TRANS NPN 100V 1A PCP

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 100V

Verical:
2SC3646T-P-TD-E

2SC3646T-P-TD-E中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-243

外形尺寸

封装 TO-243

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2SC3646T-P-TD-E

型号： 2SC3646T-P-TD-E

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 100V