2SD1816T-TL-E

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2SD1816T-TL-E概述

通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 100V 4A TPFA


立创商城:
2SD1816T-TL-E


欧时:
ON Semiconductor 2SD1816T-TL-E , NPN 晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE:40, 180 MHz, 3引脚 TP-FA封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 180 MHz, 20 W, 4 A, 200 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SD1816T-TL-E NPN Bipolar Transistor, 4 A, 100 V, 3-Pin TP-FA


安富利:
2SD1816 is a Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA for high-Current Switching Application.


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


2SD1816T-TL-E中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 130 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1816T-TL-E
型号: 2SD1816T-TL-E
描述:通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号2SD1816T-TL-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD1816T-TL-E

ON Semiconductor 安森美

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