







通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 100V 4A TPFA
立创商城:
2SD1816T-TL-E
欧时:
ON Semiconductor 2SD1816T-TL-E , NPN 晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE:40, 180 MHz, 3引脚 TP-FA封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 180 MHz, 20 W, 4 A, 200 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin2+Tab TP-FA T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2SD1816T-TL-E NPN Bipolar Transistor, 4 A, 100 V, 3-Pin TP-FA
安富利:
2SD1816 is a Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA for high-Current Switching Application.
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin2+Tab TP-FA T/R
频率 180 MHz
针脚数 3
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 20 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1816T-TL-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1816T-TL-H 安森美 | 类似代替 | 2SD1816T-TL-E和2SD1816T-TL-H的区别 |
2SD1816T-H 安森美 | 功能相似 | 2SD1816T-TL-E和2SD1816T-H的区别 |
2SD1816T-E 安森美 | 功能相似 | 2SD1816T-TL-E和2SD1816T-E的区别 |