2SD1803T-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1803T-E概述

双极晶体管50V ，（A ????） 5A ，低VCE （SAT），（ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, â5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W 通孔 TP

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2SD1803T-E

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2SD1803T-E中文资料参数规格

技术参数

频率 180 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1803T-E

型号： 2SD1803T-E

描述：双极晶体管50V ，（A ????） 5A ，低VCE （SAT），（ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, â5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA

替代型号2SD1803T-E