2N2219AL参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N2219AL概述

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/251

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-5 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-5 Tray

2N2219AL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 325

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5-3

外形尺寸

封装 TO-5-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买2N2219AL

型号： 2N2219AL

描述：NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

替代型号2N2219AL