






高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 40MHz 通孔 TO-204(TO-3)
得捷:
TRANS NPN 100V 25A TO204
立创商城:
2N6338G
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 100V 200W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
频率 40 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 25.0 A
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
军工级 Yes
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N6338G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6338 安森美 | 完全替代 | 2N6338G和2N6338的区别 |
2N6059 意法半导体 | 功能相似 | 2N6338G和2N6059的区别 |