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2N930概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 30mA 300mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

2N930中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10µA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： 2N930

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号2N930