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2SD2528概述

NPN硅外延平面型（适用于功率放大具有较高的正向电流传输比） Silicon NPN epitaxial planar typeFor power amplification with high forward current transfer ratio

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 5A 30MHz 2W Through Hole TO-220D-A1

得捷:
TRANS NPN 60V 5A TO220D-A1

2SD2528中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 500 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SD2528

描述：NPN硅外延平面型（适用于功率放大具有较高的正向电流传输比） Silicon NPN epitaxial planar typeFor power amplification with high forward current transfer ratio