2N918UB参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N918UB概述

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 15V 50mA 200mW Surface Mount UB

艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 200mW 3-Pin UB Waffle

2N918UB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

输入电容 2pF Max

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： 2N918UB

描述：硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号2N918UB