2N3583参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3583概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN High Power

Power Transistors TO-66 Case

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN High Power

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 175V 5A 3-Pin2+Tab TO-66 Sleeve

2N3583中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35 W

击穿电压集电极-发射极 175 V

最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 10V

额定功率Max 35 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-66-2

外形尺寸

封装 TO-66-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

2N3583引脚图与封装图

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型号： 2N3583

制造商： Central Semiconductor

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN High Power

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