2SA08860Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA08860Q概述

TO-126B-A1 PNP 40V 1.5A

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1.5A 150MHz 1.2W Through Hole TO-126B-A1

得捷:
TRANS PNP 40V 1.5A TO126B-A1

Win Source:
TRANS PNP 40V 1.5A TO-126

2SA08860Q中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -1.50 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

额定功率Max 1.2 W

耗散功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2SA08860Q

描述：TO-126B-A1 PNP 40V 1.5A