2SB1030A参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB1030A概述

PNP硅外延平面型（低频放大） Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplification

- 双极 BJT - 单 PNP 120MHz 通孔 NS-B1

得捷:
TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1

2SB1030A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 85 @150mA, 10V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 NS-B1

外形尺寸

封装 NS-B1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2SB1030A

描述：PNP硅外延平面型（低频放大） Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplification

替代型号2SB1030A