2SC15670S

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2SC15670S概述

TO-126B-A1 NPN 100V 0.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 500mA 120MHz 1.2W Through Hole TO-126B-A1


得捷:
TRANS NPN 100V 0.5A TO126B-A1


2SC15670S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 185 @150mA, 10V

额定功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC15670S
型号: 2SC15670S
制造商: Panasonic 松下
描述:TO-126B-A1 NPN 100V 0.5A

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