TO-126B-A1 NPN 100V 0.5A
Bipolar BJT Transistor NPN 100V 500mA 120MHz 1.2W Through Hole TO-126B-A1
得捷: TRANS NPN 100V 0.5A TO126B-A1
额定电压DC 100 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 185 @150mA, 10V
额定功率Max 1.2 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册