TO-126B-A1 NPN 35V 1A
Bipolar BJT Transistor NPN 35V 1A 200MHz 5W Through Hole TO-126B-A1
得捷: TRANS NPN 35V 1A TO126B-A1
Win Source: TRANS NPN 35V 1A TO-126
额定电压DC 35.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 35 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 170 @500mA, 10V
额定功率Max 5 W
耗散功率Max 5 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册