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2SD21770SA概述

MT-2-A1 NPN 50V 2A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 2A 110MHz 1W Through Hole MT-2-A1

得捷:
TRANS NPN 50V 2A MT-2

2SD21770SA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 170 @200mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 MT-2-A1

外形尺寸

封装 MT-2-A1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2SD21770SA

型号： 2SD21770SA

制造商： Panasonic 松下

描述：MT-2-A1 NPN 50V 2A