TO-92-B1 NPN 20V 0.5A
Bipolar BJT Transistor NPN 20V 500mA 200MHz 600mW Through Hole TO-92-B1
得捷: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-B1
Win Source: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 600 mW
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册