2SD17070P参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD17070P概述

TOP-3F-A1 NPN 80V 20A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 20A 20MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1

得捷:
TRANS NPN 80V 20A TOP-3F

Win Source:
TRANS NPN 80V 20A TOP-3F

2SD17070P中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 20A

最小电流放大倍数hFE 130 @3A, 2V

额定功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TOP-3

外形尺寸

封装 TOP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2SD17070P

型号： 2SD17070P

描述：TOP-3F-A1 NPN 80V 20A