2SA854STPQ概述
SPT PNP 32V 0.5A
- 双极 BJT - 单 PNP 200MHz 通孔 SPT
得捷:
TRANS PNP 32V 0.5A SPT
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 0.5A
Win Source:
TRANS PNP 32V 0.5A SPT
2SA854STPQ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 300 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SC-72
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 2 mm
高度 3 mm
封装 SC-72
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2SA854STPQ
替代型号2SA854STPQ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA854STPQ ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA854S 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SA854STPQ和2SA854S的区别 |