2SA854STPR

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2SA854STPR概述

SPT PNP 32V 0.5A

- 双极 BJT - 单 PNP 200MHz 通孔 SPT


得捷:
TRANS PNP 32V 0.5A SPT


Win Source:
TRANS PNP 32V 0.5A SPT / Bipolar BJT Transistor PNP 32 V 500 mA 200MHz 300 mW Through Hole SPT


2SA854STPR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72

外形尺寸

封装 SC-72

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA854STPR
型号: 2SA854STPR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:SPT PNP 32V 0.5A
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