2SD2033AT114E

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2SD2033AT114E概述

HRT NPN 160V 1.5A

- 双极 BJT - 单 NPN 160 V 1.5 A 80MHz 1.8 W 通孔 HRT


得捷:
TRANS NPN 160V 1.5A HRT


2SD2033AT114E中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 HRT

外形尺寸

封装 HRT

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD2033AT114E
型号: 2SD2033AT114E
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:HRT NPN 160V 1.5A

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