通用晶体管 General Purpose Transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 50 V 150 mA 140MHz 300 mW 通孔 SPT
得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SPT
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A SPT
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
封装 SC-72-3
长度 4 mm
宽度 2 mm
高度 3 mm
封装 SC-72-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA933ASTPQ ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA933ASTP/QS 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SA933ASTPQ和2SA933ASTP/QS的区别 |
A93 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SA933ASTPQ和A93的区别 |