2SD1863TV2Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1863TV2Q概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DRIVER NPN 80V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole ATV

得捷:
TRANS NPN 80V 1A ATV

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DRIVER NPN 80V 1A

2SD1863TV2Q中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 10 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SIP-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 4.4 mm

封装 SIP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1863TV2Q

型号： 2SD1863TV2Q

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DRIVER NPN 80V 1A