2SA1812T100Q

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2SA1812T100Q概述

MPT PNP 400V 0.5A

- 双极 BJT - 单 PNP 12MHz 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS PNP 400V 0.5A MPT3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 400V 0.5A


安富利:
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Win Source:
TRANS PNP 400V 0.5A SOT-89


2SA1812T100Q中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -400 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 2 W

增益频宽积 12 MHz

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @50mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MPT-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1812T100Q
型号: 2SA1812T100Q
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MPT PNP 400V 0.5A

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