2SC5662T2LN参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5662T2LN概述

VMT NPN 11V 0.05A

Bipolar BJT Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 150mW Surface Mount VMT3

得捷:
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR VMT3; NPN HFE N

2SC5662T2LN中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

增益频宽积 3.2 GHz

击穿电压集电极-发射极 11 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 56 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-723

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SC5662T2LN

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMT NPN 11V 0.05A