2N5401,412

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2N5401,412概述

SPT PNP 150V 0.3A

- 双极 BJT - 单 PNP 150 V 300 mA 300MHz 630 mW 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 150V 0.3A TO92-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD


艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.3A 630mW 3-Pin TO-92 Bulk


2N5401,412中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 630 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 50 @1mA, 5V

额定功率Max 630 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 630 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5401,412
型号: 2N5401,412
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT PNP 150V 0.3A
替代型号2N5401,412
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5401,412

NXP 恩智浦

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