SPT PNP 150V 0.3A
- 双极 BJT - 单 PNP 150 V 300 mA 300MHz 630 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 150V 0.3A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.3A 630mW 3-Pin TO-92 Bulk
极性 PNP
耗散功率 630 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 50 @1mA, 5V
额定功率Max 630 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 630 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5401,412 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5401BU 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2N5401,412和2N5401BU的区别 |
2N5401TA 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2N5401,412和2N5401TA的区别 |
2N5401 恩智浦 | 功能相似 | 2N5401,412和2N5401的区别 |