2N5551,116

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2N5551,116概述

SPT NPN 160V 0.3A

- 双极 BJT - 单 NPN 300MHz 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 160V 0.3A TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 630mW 3-Pin TO-92 T/R


Win Source:
TRANS NPN 160V 0.3A TO92-3 / Bipolar BJT Transistor NPN 160 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3


2N5551,116中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 630 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 630 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5551,116
型号: 2N5551,116
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT NPN 160V 0.3A
替代型号2N5551,116
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NXP 恩智浦

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