2N6668参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N6668概述

硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR

■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

■ PNP DARLINGTON

■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE

APPLICATIONS:

■ GENERAL PURPOSE SWITCHING

■ GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER

得捷:
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

贸泽:
Darlington Transistors PNP Power Darlington

2N6668中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -10.0 A

耗散功率 65 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V

额定功率Max 65 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N6668

型号： 2N6668

描述：硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR

替代型号2N6668