放大器晶体管 Amplifier Transistors
Features
• Pb−Free Packages are Available- .
• Device Marking: Device Type, e.g., , Date Code
得捷:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 Box
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
Online Components:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 140 V
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210075
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5550 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5550RLRA 安森美 | 类似代替 | 2N5550和2N5550RLRA的区别 |
2N5550TA 安森美 | 功能相似 | 2N5550和2N5550TA的区别 |
2N5550TFR 安森美 | 功能相似 | 2N5550和2N5550TFR的区别 |