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2N5884概述

互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 25 A 4MHz 200 W 通孔 TO-204（TO-3）

得捷:
TRANS PNP 80V 25A TO204

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

2N5884中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -25.0 A

极性 Dual P-Channel

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 4V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 200 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

最小包装 100

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2N5884

描述：互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors

替代型号2N5884