2N5551RLRMG参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5551RLRMG概述

TO-92 NPN 160V 0.6A

Bipolar BJT Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92 / Bipolar BJT Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226

2N5551RLRMG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2N5551RLRMG

描述：TO-92 NPN 160V 0.6A

替代型号2N5551RLRMG