2N4123RLRM参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N4123RLRM概述

通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 30V 0.2A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V NPN

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo

2N4123RLRM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

耗散功率 625 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 50 @2mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N4123RLRM

型号： 2N4123RLRM

描述：通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon

替代型号2N4123RLRM