放大器晶体管 Amplifier Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92
艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC -150 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5401RLRM ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5401RLRAG 安森美 | 完全替代 | 2N5401RLRM和2N5401RLRAG的区别 |
2N5401RLRMG 安森美 | 完全替代 | 2N5401RLRM和2N5401RLRMG的区别 |
2N5401G 安森美 | 类似代替 | 2N5401RLRM和2N5401G的区别 |