2SA1162GT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1162GT1概述

通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 50 V 150 mA 80MHz 200 mW 表面贴装型 SC-59

得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SC59

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SC-59 T/R

2SA1162GT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -150 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2SA1162GT1

型号： 2SA1162GT1

描述：通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors