2N5551RLRM参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5551RLRM概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code

得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 180V NPN

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo

2N5551RLRM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2N5551RLRM

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号2N5551RLRM