2SC4207-BLTE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC4207-BLTE85L,F概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SMV

得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 5-Pin SMV T/R

2SC4207-BLTE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 350 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-753

外形尺寸

封装 SOT-753

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC4207-BLTE85L,F

型号： 2SC4207-BLTE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV