2N3810L参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3810L概述

PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag

2N3810L中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N3810L

型号： 2N3810L

描述：PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

替代型号2N3810L