2N3811U

2N3811U概述

PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6


得捷:
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin Case U


2N3811U中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N3811U
型号: 2N3811U
描述:PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR
替代型号2N3811U
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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