2SK3019TL

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2SK3019TL概述

ROHM  2SK3019TL  晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V

表面贴装型 N 通道 30 V 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3


立创商城:
N沟道 30V 100mA


贸泽:
MOSFET N-CH 30V .1A SOT416


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R


Newark:
# ROHM  2SK3019TL  MOSFET Transistor, Low Gate Drive, N Channel, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V


儒卓力:
**N-CHANNEL SMD MOSFET 30V 0,1A **


力源芯城:
30V,0.1A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V .1A SOT416


2SK3019TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 100 mA

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 13pF @5VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.7 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Portable Devices, 工业, 便携式器材, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2SK3019TL引脚图与封装图
2SK3019TL引脚图
2SK3019TL封装图
2SK3019TL封装焊盘图
在线购买2SK3019TL
型号: 2SK3019TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  2SK3019TL  晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V
替代型号2SK3019TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SK3019TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SK3018T106

罗姆半导体

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2SK3019TL和2SK3018T106的区别

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