









ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
表面贴装型 N 通道 30 V 100mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
立创商城:
N沟道 30V 100mA
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
儒卓力:
**N-CH SMD MOSFET 30V 0,1A UMT3 **
力源芯城:
2.5V,驱动30V,0.1A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 13pF @5VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Power Management, Portable Devices, Industrial, Industrial, Portable Devices, 电源管理, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SK3018T106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK3019TL 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SK3018T106和2SK3019TL的区别 |
RTR025N03TL 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SK3018T106和RTR025N03TL的区别 |
RSR025N03TL 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SK3018T106和RSR025N03TL的区别 |