VISHAY 2N7002K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V
The is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers low Input and output leakage.
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- 2R Low ON-resistance
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- 2V Low threshold
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- 25pF Low input capacitance
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- 25ns Fast switching speed
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- 2000V ESD Protection
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- Halogen-free
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- Low offset voltage
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- Low-voltage operation
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- Easily driven without buffer
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- High-speed circuits
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- Low error voltage
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 190 mA
输入电容Ciss 30pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial, Signal Processing, Communications & Networking, Lighting, Imaging, Video & Vision
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002K-T1-GE3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002K-T1-E3 威世 | 类似代替 | 2N7002K-T1-GE3和2N7002K-T1-E3的区别 |
2N7002-T1-E3 威世 | 类似代替 | 2N7002K-T1-GE3和2N7002-T1-E3的区别 |
2N7002LT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002K-T1-GE3和2N7002LT1G的区别 |