2N7002E-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 70.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 240 mA
输入电容Ciss 21pF @5VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2N7002E-T1-E3
型号： 2N7002E-T1-E3
描述：VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
替代型号2N7002E-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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