VISHAY 2N7002-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V
The is a 60V N-channel MOSFET with low on resistance and low threshold. Suitable for solid-state relays and TTL/CMOS direct logic-level interface.
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- Low input capacitance
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- Fast switching speed
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- Low input and output leakage
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- Low offset voltage
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- Low error voltage
额定功率 0.2 W
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 22pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
高度 1.02 mm
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, 电源管理, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002-E3 威世 | 完全替代 | 2N7002-T1-E3和2N7002-E3的区别 |
2N7002LT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002-T1-E3和2N7002LT1G的区别 |
2N7002-7-F 美台 | 功能相似 | 2N7002-T1-E3和2N7002-7-F的区别 |