2SK2887TL

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2SK2887TL概述

Mosfet n-Ch 200V 3A Dpak

表面贴装型 N 通道 200 V 3A(Ta) 20W(Tc) CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET SURF MOUNT


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK


2SK2887TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.00 A

通道数 1

漏源极电阻 700 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 230pF @10VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 34 ns

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK2887TL
型号: 2SK2887TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Mosfet n-Ch 200V 3A Dpak
替代型号2SK2887TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SK2887TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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