硅N沟道MOS FET SILICON N-CHANNEL MOS FET
通孔 N 通道 500mA(Ta) 1W(Ta) M-A1
得捷: MOSFET N-CH 80V 500MA M-A1
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 N-CH
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 45pF @10VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Through Hole
封装 SIP-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册