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2N7002_NB9G002中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N7002_NB9G002
型号: 2N7002_NB9G002
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 60V 115mA SOT-23

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