4V驱动N沟道MOS FET硅N沟道MOS FET特性硅N沟道MOS FET低导通电阻开关速度快宽SOA（安全工作区）4V驱动驱动电路可以很简单并行使用容易
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.11Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance Fast switching speed Wide SOA safe operating area 4V drive Drive circuits can be simple Parallel use is easy 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 4V驱动 驱动电路可以很简单 并行使用容易
额定电压DC 60.0 V
额定电流 5.00 A
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 520pF @10VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SK2503TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | 2SK2503TL和STP55NF06的区别 |
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