2SK3050TL概述
CPT N-CH 600V 2A
Features
1 Low on-resistance.
2 Fast switching speed.
3 Wide SOA safe operating area.
4 Gate-source voltage VGSS guaranteed to be ±30V.
5 Drive circuits can be simple.
6 Parallel use is easy.
Applications
Switching
Structure
Silicon N-channel MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin CPT
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
2SK3050TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 2.00 A
漏源极电阻 4.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 280pF @10VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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