2N7000RLRA参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N7000RLRA概述

小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

Features

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得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

2N7000RLRA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 200 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350mW Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

耗散功率Max 350mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2N7000RLRA

描述：小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

替代型号2N7000RLRA