2N7002-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.1 V
输入电容 22pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
封装 TO-236
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买2N7002-E3
型号： 2N7002-E3
描述：VISHAY 2N7002-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V
替代型号2N7002-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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