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2N6788图片1

2N6788概述

N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

通孔 N 通道 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39

得捷:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39

AMEYA360:
MOSFET N-CH 100V TO-205AF

2N6788中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 800mW Tc

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 70 ns

额定功率Max 800 mW

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N6788

型号： 2N6788

制造商： Microsemi 美高森美

描述：N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

替代型号2N6788

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N6788 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTX2N6788 美高森美	完全替代	2N6788和JANTX2N6788的区别
2N6782 英飞凌	功能相似	2N6788和2N6782的区别
IRFF120 英飞凌	功能相似	2N6788和IRFF120的区别